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| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘王来; 叶小玲 ; 徐波; 王占国
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| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 彭银生; 叶小玲; 徐波; 牛洁斌; 贾锐; 王占国; 梁松; 杨晓红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng Yinsheng; Ye Xiaoling; Xu Bo; Jin Peng; Niu Jiebin; Jia Rui; Wang Zhanguo
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou GY; Chen YH; Yu JL; Zhou XL; Ye XL; Jin P; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou GY; Chen YH; Zhou XL; Xu B; Ye XL; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou HY; Qu SC; Jin P; Xu B; Ye XL; Liu JP; Wang ZG; Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou XL; Chen YH; Zhang HY; Zhou GY; Li TF; Liu JQ; Ye XL; Xu B; Wang ZG; Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou XL; Chen YH; Li TF; Zhou GY; Zhang HY; Ye XL; Xu B; Wang ZG; Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘国利; 王圩; 张佰君; 许国阳; 陈娓兮; 叶小玲; 张静媛; 汪孝杰; 朱洪亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘超; 李国辉; 韩德俊; 姬成周; 陈涌海; 叶小玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 钱家骏; 叶小玲; 徐波; 韩勤; 陈涌海; 丁鼎; 梁基本; 刘峰奇; 张金福; 张秀兰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨君玲; 陈诺夫; 叶小玲; 何宏家
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国
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| Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者: Sun ZZ; Liu FQ; Wu J; Ye XL; Ding D; Xu B; Liang JB; Wang ZG; Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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