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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yong Yan;   Wenqi Xiong;   Shasha Li;   Kai Zhao;   Xiaoting Wang;   Jian Su;   Xiaohui Song;   Xueping Li;   Shuai Zhang;   Huai Yang;   Xinfeng Liu;   Lang Jiang;   Tianyou Zhai;   Congxin Xia;   Jingbo Li;   Zhongming Wei
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Zhiyi Gao ;   Zheng Lou ;   Shuai Chen ;   La Li ;   Kai Jiang ;   Zuoling Fu ;   Wei Han ;   Guozhen Shen
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Tingting Huang ;   Zheng Lou ;   Shuai Chen ;   Rui Li ;   Kai Jiang ;   Di Chen ;   Guozhen Shen
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Tang AW (Tang Aiwei);  Qu SC (Qu Shengchun);  Li K (Li Kai);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Cao J (Cao Jie);  Wang YS (Wang Yongsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn;  fteng@bjtu.edu.cn
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李凯;  叶小玲;  王占国
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利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李凯;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
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GaAs基In(Ga)As量子环的材料生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  李凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  裴为华;  陈弘达;  唐君;  鲁琳;  刘金彬;  吴惠娟;  陈晶华;  胡小凤;  黎晓新;  李凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  金峰;  鲁华祥;  李凯;  陈涌海;  王占国
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