SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱
杨君玲; 陈诺夫; 叶小玲; 何宏家
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:1Pages:26-29
Abstract利用低能双离子束外延技术,在400 ℃条件下生长样品(Ga, Mn, As)/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近,半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理,退火后的谱结构类似退火前,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带,生成Mn_2As新相,Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究专项经费(G2 683),攀登计划(PAN95-YU-34)基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955280
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18125
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨君玲,陈诺夫,叶小玲,等. (Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱[J]. 半导体学报,2002,23(1):26-29.
APA 杨君玲,陈诺夫,叶小玲,&何宏家.(2002).(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱.半导体学报,23(1),26-29.
MLA 杨君玲,et al."(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱".半导体学报 23.1(2002):26-29.
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