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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 26-29
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  叶小玲;  何宏家
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 289
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 325
Authors:  李成基;  李韫言;  王万年;  何宏家
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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 期刊论文
固体电子学研究与进展, 1999, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 111
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  何宏家;  吴让元;  曹福年;  白玉珂;  惠峰
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砷化镓晶片表面损伤层分析 期刊论文
稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 241
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  曹福年;  白玉柯;  吴让元;  惠峰;  何宏家
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X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 635
Authors:  曹福年;  卜俊鹏;  吴让元;  郑红军;  惠峰;  白玉珂;  刘明焦;  何宏家
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半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 267
Authors:  王玉田;  陈诺夫;  何宏家;  林兰英
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