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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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磁性半导体材料的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
Authors:  杨君玲
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(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 26-29
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  叶小玲;  何宏家
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室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
Authors:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 期刊论文
科学通报, 2001, 卷号: 2035, 期号: 0
Authors:  陈诺夫;  修慧欣;  杨君玲;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 289
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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