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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:徐波
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作者:徐波
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Li TF
;
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng Yinsheng
;
Ye Xiaoling
;
Xu Bo
;
Jin Peng
;
Niu Jiebin
;
Jia Rui
;
Wang Zhanguo
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提交时间:2011/08/16
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZC
;
Xu B
;
Chen YH
;
Shi LW
;
Liang ZM
;
Wang ZG
;
Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Wang YL
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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提交时间:2010/03/29
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu LK
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Jin P
;
Zhao C
;
Sun J
;
Ding F
;
Hu LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yulike@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhang ZY
;
Shi GX
;
Zhang CL
;
Wang YL
;
Liu FQ
;
Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1509/256
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提交时间:2010/03/29
Dots
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi GX
;
Jin P
;
Xu B
;
Li CM
;
Cui CX
;
Wang YL
;
Ye XL
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
Effect of noncoherent islands on the optical properties of the 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots during rapid thermal annealing
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Shi GX
;
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
;
Chen YH
;
Wang YL
;
Cui CX
;
Wang ZG
;
Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
1.3 Mu-m