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| In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者: Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY; Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic In-situ Doping Low-pressure Cvd Sapphire Substrate Chemical-vapor-deposition Competition Epitaxy |
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作者: Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY; Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo MC; Wang XL; Li JM; Liu HX; Wang L; Sun DZ; Zeng YP; Lin LY; Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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作者: Sun YP; Fu Y; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Shen XM; Zhao DG ; Zheng XH; Duan LH; Li BC; Zhang SM; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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作者: 李拥平; 石寅
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作者: 孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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作者: 孙元平; 付羿; 渠波; 王玉田; 冯玉宏; 赵德刚; 郑新和; 段俐宏; 李秉臣; 张书明; 杨辉; 姜晓明; 郑文莉; 贾全杰
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作者: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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作者: 李永平; 田强; 牛智川; 杨锡震; 吴正龙; 王亚非
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