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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究 期刊论文 人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 460-463 Authors: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
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| 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 53-56 Authors: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英
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| Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289 Authors: Zhao Youwen; Dong Hongwei; Jiao Jinghua; Zhao Jianqun; Lin Lanying; Sun Niefeng; Sun Tongnian
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| 非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762 Authors: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果 1992 Accomplishers: 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
 Favorite  |  View/Download:732/0  |  Submit date:2010/04/13 磷化铟单晶 |
| 一种去除熔体表面浮渣的技术 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 焦景华; 佘辉; 叶式中
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| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果 1985 Accomplishers: 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
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