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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 460-463
Authors:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 53-56
Authors:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  赵建群;  林兰英
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Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289
Authors:  Zhao Youwen;  Dong Hongwei;  Jiao Jinghua;  Zhao Jianqun;  Lin Lanying;  Sun Niefeng;  Sun Tongnian
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非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762
Authors:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
Accomplishers:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
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磷化铟单晶  
一种去除熔体表面浮渣的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  焦景华;  佘辉;  叶式中
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可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
Accomplishers:  叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
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磷化铟