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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 460-463
Authors: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
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| 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 53-56
Authors: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英
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| Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289
Authors: Zhao Youwen; Dong Hongwei; Jiao Jinghua; Zhao Jianqun; Lin Lanying; Sun Niefeng; Sun Tongnian
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| 非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762
Authors: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
Accomplishers: 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
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磷化铟单晶 |
| 一种去除熔体表面浮渣的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 焦景华; 佘辉; 叶式中
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| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
Accomplishers: 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
Favorite | View/Download：705/0 | Submit date：2010/04/13
磷化铟 |
