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Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Authors:  Wang Xiaoliang;  Hu Guoxin;  Wang Junxi;  Liu Xinyu;  Liu Hongxin;  Sun Dianzhao;  Zeng Yiping;  Qian He;  Li Jinmin;  Kong Meiying;  Lin Lanying
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
Authors:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
Authors:  胡国新;  王晓亮;  孙殿照;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
Authors:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英;  刘新宇;  刘键;  钱鹤
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
Authors:  孙殿照;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用 期刊论文
真空科学与技术学报, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 153-156
Authors:  杨冰;  蒲以康;  孙殿照
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Improved Epitaxy of 3C-SiC Layers on Si(100) by New CVD/LPCVD System 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 800-804
Authors:  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Luo Muchang;  Zhao Wanshun;  Sun Dianzhao;  Zeng Yiping;  Li Jinmin;  Lin Lanying
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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
Authors:  胡国新;  孙殿照;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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