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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作 期刊论文
科学通报, 2011, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 174-178
Authors:  唐龙娟;  郑新和;  张东炎;  董建荣;  王辉;  杨辉
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Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体 期刊论文
无机材料学报, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356
Authors:  林志浪;  郑新和;  王群;  周美玲
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立方相GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38
Authors:  张泽洪;  赵德刚;  孙元平;  冯志宏;  沈晓明;  张宝顺;  冯淦;  郑新和;  杨辉
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多型体材料SiC和GaN外延薄膜的相及缺陷分析 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
Authors:  郑新和
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GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
Authors:  冯淦;  郑新和;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  孙元平;  张泽洪;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
Authors:  冯淦;  郑新和;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾;  郑文莉;  贾全杰
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Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39
Authors:  Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文) 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  韩景仪;  徐大鹏;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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