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N-type GaSb single crystals with high below-band gap transmission 期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107801
Authors:  Yong-Biao Bai;  You-Wen Zhao;  Gui-Ying Shen;  Xiao-Yu Chen;  Jing-Ming Liu;  Hui Xie;  Zhi-Yuan Dong;  Jun Yang;  Feng-Yun Yang and Feng-Hua Wang
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Thermally induced native defect transform in annealed GaSb 期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 077801
Authors:  Jie Su;  Tong Liu;  Jing-Ming Liu;  Jun Yang;  Yong-Biao Bai;  Gui-Ying Shen;  Zhi-Yuan Dong;  Fang-Fang Wang;  You-Wen Zhao
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C H complex defects and their influence in ZnO single crystal 期刊论文
Chinese Physics B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 107704
Authors:  Xie Hui;  Zhao You-Wen;  Liu Tong;  Dong Zhi-Yuan;  Yang Jun;  Liu Jing-Ming
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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
Inventors:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 期刊论文
四川大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1069-1072
Authors:  陈燕;  邓爱红;  赵有文;  张英杰;  余鑫祥;  喻菁;  龙娟娟;  周宇璐;  张丽然
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InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
Authors:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
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高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
Authors:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
Authors:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷 期刊论文
武汉大学学报. 理学版, 2008, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 305-308
Authors:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
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