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Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals 期刊论文
半导体学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 042001-1-042001-4
Authors:  Hu Weijie;  Zhao Youwen;  Sun Wenrong;  Duan Manlong;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
Authors:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
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闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵有文;  董志远;  段满龙;  魏学成
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InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵友文;  段满龙
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化学气相传输法生长ZnO单晶 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 524-529
Authors:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 404-408
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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高质量InAs单晶材料的制备及其性质 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395
Authors:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
Authors:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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