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高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
Authors:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
Authors:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
Authors:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  高永亮;  惠峰;  王文军
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一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  高永亮;  惠峰;  王文军
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