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纳米陷光结构硅太阳能电池的设计及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  陈燕坤
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掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性 期刊论文
红外与毫米波学报, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301
Authors:  陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川
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Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301
Authors:  Chen Y (Chen Yan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Tang B (Tang Bao);  Wang GW (Wang Guo-Wei);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 期刊论文
四川大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1069-1072
Authors:  陈燕;  邓爱红;  赵有文;  张英杰;  余鑫祥;  喻菁;  龙娟娟;  周宇璐;  张丽然
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内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 596-599
Authors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
Inventors:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
Inventors:  陈燕坤;  韩伟华;  洪文婷;  杨富华
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一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
Inventors:  李小明;  韩伟华;  张严波;  颜伟;  杜彦东;  陈燕坤;  杨富华
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(456Kb)  |  Favorite  |  View/Download:939/236  |  Submit date:2011/08/31
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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