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InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 216802-1-216802-4
Authors:  杨新荣,徐波,赵国晴,申晓志,史淑惠,李洁,王占国
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应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响 期刊论文
中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2012, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 237-241
Authors:  杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
Inventors:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:  占荣
Adobe PDF(1311Kb)  |  Favorite  |  View/Download：584/23  |  Submit date：2009/04/13
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
Authors:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
Authors:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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