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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [19]
中科院半导体材料科学... [3]
Authors
韩培德 [3]
黎大兵 [2]
陈涌海 [1]
刘斌 [1]
Document Type
Journal a... [18]
Patent [3]
Thesis [1]
Date Issued
2012 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2003 [2]
2002 [3]
More...
Language
中文 [20]
英语 [1]
Source Publication
半导体学报 [9]
物理学报 [3]
发光学报 [2]
中国科学. 物理学,... [1]
光子学报 [1]
光散射学报 [1]
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国家自然科学基金 [4]
国家自然科学基金(6... [1]
国家自然科学基金(6... [1]
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国家重点基础研究发展... [1]
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InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究
期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 216802-1-216802-4
Authors:
杨新荣,徐波,赵国晴,申晓志,史淑惠,李洁,王占国
Adobe PDF(226Kb)
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View/Download:500/124
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Submit date:2013/05/29
应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响
期刊论文
中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2012, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 237-241
Authors:
杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
Adobe PDF(495Kb)
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Submit date:2013/05/29
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
Inventors:
占 荣
;
惠 峰
;
赵有文
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View/Download:1440/291
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Submit date:2010/08/12
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:
张曾
;
张荣
;
谢自力
;
刘斌
;
修向前
;
李弋
;
傅德颐
;
陆海
;
陈鹏
;
韩平
;
郑有炓
;
汤晨光
;
陈涌海
;
王占国
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Submit date:2010/11/23
大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:
占荣
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Submit date:2009/04/13
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
Authors:
占荣
;
赵有文
;
于会永
;
高永亮
;
惠峰
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Submit date:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
Authors:
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
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Submit date:2010/11/23
GaN的声表面波特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:
严莉
;
陈晓阳
;
何世堂
;
李红浪
;
韩培德
;
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
李昱峰
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
朱勤生
;
王占国
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Submit date:2010/11/23
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:
王晓晖
;
李昱峰
;
陆大成
;
刘祥林
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
王秀凤
;
朱勤生
;
王占国
;
陈振
;
韩培德
Adobe PDF(128Kb)
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Submit date:2010/11/23
Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
袁海荣
;
王占国
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Submit date:2009/06/11