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掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性 期刊论文
红外与毫米波学报, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301
Authors:  陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川
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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 期刊论文
四川大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1069-1072
Authors:  陈燕;  邓爱红;  赵有文;  张英杰;  余鑫祥;  喻菁;  龙娟娟;  周宇璐;  张丽然
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磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
Authors:  赵有文;  苗杉杉;  董志远;  吕小红;  邓爱红;  杨俊;  王博
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高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607
Authors:  王博;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  杨俊
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深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171
Authors:  杨俊;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  王博
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Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: Art.No.123519
Authors:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Miao, SS (Miao, Shanshan);  Deng, AH (Deng, Aihong);  Yang, J (Yang, Jun);  Wang, B (Wang, Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Doped Semiinsulating Inp  
半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1934-1939
Authors:  苗杉杉;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  杨俊;  王博
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