氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 
2009-05-27
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3996
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-11-21
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710177781
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9162
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
董志远,赵有文,杨 俊,等. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法[P]. 2009-05-27.
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