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| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 | |
| 占 荣; 惠 峰; 赵有文 | |
| 2010-08-12 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2009-12-16 ; 2010-08-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。 |
| Application Date | 2008-06-11 |
| Language | 中文 |
| Status | 实质审查的生效 |
| Application Number | CN200810114794.9 |
| Patent Agent | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13456 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 占 荣,惠 峰,赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法[P]. 2010-08-12. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 3594.pdf（347KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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