SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
占 荣; 惠 峰; 赵有文
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-16 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法,包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成,形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合,抽真空,用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉,进行气氛掺杂,单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡,得到GaAs单晶,完成GaAs单晶的制备。
Application Date2008-06-11
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810114794.9
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13456
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
占 荣,惠 峰,赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法[P]. 2010-08-12.
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