SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:9Pages:1775-1778
Abstract研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3399096
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15949
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
于会永,赵有文,占荣,等. VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J]. 半导体学报,2008,29(9):1775-1778.
APA 于会永,赵有文,占荣,&高永亮.(2008).VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质.半导体学报,29(9),1775-1778.
MLA 于会永,et al."VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质".半导体学报 29.9(2008):1775-1778.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3804.pdf(637KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[于会永]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[占荣]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[于会永]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[占荣]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[于会永]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[占荣]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.