SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-4 of 4 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
Inventors:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
Adobe PDF(347Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1414/291  |  Submit date:2010/08/12
大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:  占荣
Adobe PDF(1311Kb)  |  Favorite  |  View/Download:571/23  |  Submit date:2009/04/13
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
Authors:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
Adobe PDF(552Kb)  |  Favorite  |  View/Download:973/285  |  Submit date:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
Authors:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
Adobe PDF(637Kb)  |  Favorite  |  View/Download:973/309  |  Submit date:2010/11/23