SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
张曾; 张荣; 谢自力; 刘斌; 修向前; 李弋; 傅德颐; 陆海; 陈鹏; 韩平; 郑有炓; 汤晨光; 陈涌海; 王占国
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:5Pages:3416-3420
Abstract研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
metadata_83南京大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,南京大学扬州光电研究院研发基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3518074
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15833
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
张曾,张荣,谢自力,等. 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响[J]. 物理学报,2009,58(5):3416-3420.
APA 张曾.,张荣.,谢自力.,刘斌.,修向前.,...&王占国.(2009).厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响.物理学报,58(5),3416-3420.
MLA 张曾,et al."厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响".物理学报 58.5(2009):3416-3420.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3741.pdf(468KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张曾]'s Articles
[张荣]'s Articles
[谢自力]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张曾]'s Articles
[张荣]'s Articles
[谢自力]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张曾]'s Articles
[张荣]'s Articles
[谢自力]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.