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聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
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集成太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  陆大成
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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
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一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  王占国
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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
Authors:  李昱峰;  韩培德;  陈振;  黎大兵;  王占国;  刘祥林;  陆大成;  王晓军;  汪度
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GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 13-16
Authors:  曲宝壮;  朱勤生;  陈振;  陆大成;  韩培德;  刘祥林
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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