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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
金鹏 [1]
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王圩 [1]
文献类型
期刊论文 [9]
专利 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [13]
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发表日期:2006
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
路秀真
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
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浏览/下载:1075/166
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提交时间:2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
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浏览/下载:1304/204
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提交时间:2009/06/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1448/261
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma RM (Ma R. M.)
;
Dai L (Dai L.)
;
Huo HB (Huo H. B.)
;
Yang WQ (Yang W. Q.)
;
Qin GG (Qin G. G.)
;
Tan PH (Tan P. H.)
;
Huang CH (Huang C. H.)
;
Zheng J (Zheng J.)
;
Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
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浏览/下载:1373/522
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DY (Li D. Y.)
;
Huang YZ (Huang Y. Z.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Ye XJ (Ye X. J.)
;
Chong M (Chong M.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect & Nanooptoelec, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1114/382
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou YF
;
Pan ZL
;
Liu Y
;
Ai F
;
Chen NF
;
Huang YY
;
He W
;
Tang LA
;
Wang JC
;
Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail: yfzhou@sunm.shcnc.ac.cn
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浏览/下载:912/221
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu NH
;
Wen JM
;
San HS
;
Huang HP
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: nhzhu@semi.ac.cn
;
jmwen@semi.ac.cn
;
shslsx@semi.ac.cn
;
hphuang@semi.ac.cn
;
ljzhao@semi.ac.cn
;
wwang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
马龙
;
王良臣
;
黄应龙
;
杨富华
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
余洪敏
;
黄应龙
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提交时间:2010/11/23