中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1056/166  |  提交时间：2009/06/11
高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1288/175  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Jianlin;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Liu Zhongli;  Yang Fuhua;  Bai Yunxia
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：969/273  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：981/354  |  提交时间：2010/11/23
RTD与PHEMT的集成研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  王建林
Adobe PDF(1282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：807/15  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立
Adobe PDF(140Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：668/192  |  提交时间：2010/11/23