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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 1-5
Authors:  Wang Jianlin;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Liu Zhongli;  Yang Fuhua;  Bai Yunxia
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RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 390-394
Authors:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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RTD与PHEMT的集成研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  王建林
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RTD高频等效电路的研究及应用现状 期刊论文
电子器件, 2003, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 29-33
Authors:  王建林;  刘忠立
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