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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  陆大成
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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:  Huang JS;  Dong X;  Luo XD;  Liu XL;  Xu ZY;  Ge WK;  Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Light-emitting-diodes  Localized Excitons  Luminescence  Relaxation  Silicon  Band  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Yuan HR;  Han PD;  Wang D;  Wang ZG;  Li GH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Yuan HR;  Lu DC;  Sun XH;  Wan SK;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo MC;  Wang XL;  Li JM;  Liu HX;  Wang L;  Sun DZ;  Zeng YP;  Lin LY;  Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Han P;  Liu XL;  Wang XH;  Li YF;  Yuan HR;  Lu Y;  Bing LD;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wang XF;  Yan L;  Chen Z,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong X;  Hu GQ;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Kong X,Chinese Acad Sci,Beijing Lab Electron Microscopy,Inst Phys,POB 2724,Beijing 100080,Peoples R China.
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