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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong, L.; Wang, H. L.; Bajek, D.; White, S. E.; Forrest, A. F.; Wang, X. L.; Cui, B. F.; Pan, J. Q.; Ding, Y.; Cataluna, M. A.
Adobe PDF(911Kb) | 收藏 | 浏览/下载：432/104 | 提交时间：2015/03/19 |
| 量子点红外激光器和探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 孔金霞
Adobe PDF(7486Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1387/88 | 提交时间：2012/06/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.); Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH (Kong D. H.); Zhu HL (Zhu H. L.); Liang S (Liang S.); Zhao XF (Zhao X. F.); Lou CX (Lou C. X.); Wang L (Wang L.); Wang BJ (Wang B. J.); Zhao LJ (Zhao L. J.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱洪亮 ; 许晓冬; 王桓; 孔端花; 梁松; 王宝军; 赵玲娟; 王圩
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周孔丹; 鲁华祥
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| 硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾湘波; 廖显伯; 刁宏伟; 向贤碧; 孔光临; 徐艳月
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