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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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6H-SiC高压肖特基势垒二极管 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1052
Authors:  王姝睿;  刘忠立;  徐萍;  葛永才;  姚文卿;  高翠华
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InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 414
Authors:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 667
Authors:  姚文卿;  Ryssed Heiner
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