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高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417
Authors:  Yang Hui;  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Chong Ming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang;  Ye Xiaojun;  Li Deyao;  Liu Zongshun;  Duan Lihong;  Zhao Wei;  Wang Hai;  Shi Yongsheng;  Cao Qing;  Sun Jie;  Chen Jun;  Liu Suying;  Jin Ruiqin;  Liang Junwu
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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
Authors:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器 期刊论文
红外与毫米波学报, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 218
Authors:  刘颖;  杜国同;  姜秀英;  刘素平;  张晓波;  赵永生;  高鼎三;  林世呜;  高洪海;  高俊华;  王洪杰;  康学军
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室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 951
Authors:  刘颖;  杜国同;  姜秀英;  刘素平;  张晓波;  赵永生;  高鼎三;  林世鸣;  康学军;  高洪海;  高俊华;  王红杰
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一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  朱建军;  王海;  史永生
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