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穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Authors:  张爽;  赵德刚;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  王玉田;  段俐宏;  刘文宝;  江德生;  杨辉
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高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417
Authors:  Yang Hui;  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Chong Ming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang;  Ye Xiaojun;  Li Deyao;  Liu Zongshun;  Duan Lihong;  Zhao Wei;  Wang Hai;  Shi Yongsheng;  Cao Qing;  Sun Jie;  Chen Jun;  Liu Suying;  Jin Ruiqin;  Liang Junwu
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氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 62-67
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  沈晓明;  段俐宏;  杨辉
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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
Authors:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
Authors:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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GaN基肖特基结构紫外探测器 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 711-714
Authors:  王俊;  赵德刚;  刘宗顺;  伍墨;  金瑞琴;  李娜;  段俐宏;  张书明;  朱建军;  杨辉
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氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究 期刊论文
液晶与显示, 2003, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 44-47
Authors:  张书明;  杨辉;  段俐宏;  王海;  李秉成;  王胜国;  吴启保;  章裕中;  胡德进;  张双益
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Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
Authors:  张泽洪;  孙元平;  赵德刚;  段俐宏;  王俊;  沈晓明;  冯淦;  冯志宏;  杨辉
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立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:  冯志宏;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  王海;  段俐宏
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