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氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
Inventors:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
Inventors:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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高阻氮化镓外延层的异常光吸收 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
Authors:  刘文宝;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  杨辉
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高性能GaN基雪崩光电二极管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  刘文宝
Adobe PDF(1840Kb)  |  Favorite  |  View/Download:572/75  |  Submit date:2009/04/13
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Authors:  张爽;  赵德刚;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  王玉田;  段俐宏;  刘文宝;  江德生;  杨辉
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Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: Art.No.076112
Authors:  Liu WB (Liu Wenbao);  Sun X (Sun Xian);  Zhang S (Zhang Shuang);  Chen J (Chen Jun);  Wang H (Wang Hui);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zhao Degang);  Yang H (Yang Hui);  Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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Gaas-surfaces  
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  孙苋;  刘文宝;  朱建军;  江德生;  王辉;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
Adobe PDF(462Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1096/173  |  Submit date:2011/08/30
氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  刘文宝;  孙苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  杨辉
Adobe PDF(619Kb)  |  Favorite  |  View/Download:962/163  |  Submit date:2011/08/30