SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器
刘颖; 杜国同; 姜秀英; 刘素平; 张晓波; 赵永生; 高鼎三; 林世鸣; 康学军; 高洪海; 高俊华; 王红杰
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:12Pages:951
Abstract报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%。
metadata_83吉林大学;中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261973
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19871
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘颖,杜国同,姜秀英,等. 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器[J]. 半导体学报,1995,16(12):951.
APA 刘颖.,杜国同.,姜秀英.,刘素平.,张晓波.,...&王红杰.(1995).室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器.半导体学报,16(12),951.
MLA 刘颖,et al."室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器".半导体学报 16.12(1995):951.
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