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Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
Authors:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133, 页码: 106177
Authors:  H.R. Qi ;   S. Zhang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   M. Zhou ;   Z.W. He ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Authors:  周志文;  贺敬凯;  李成;  余金中
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SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1609-1613
Authors:  周志文;  贺敬凯;  王瑞春;  李成;  余金中
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脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究 期刊论文
半导体光电, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 52-55
Authors:  孙彦;  彭红玲;  任正伟;  贺振宏
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GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化 期刊论文
真空科学与技术学报, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 108-111
Authors:  牛智红;  任正伟;  贺振宏
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超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响 期刊论文
山西大学学报. 自然科学版, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 380-382
Authors:  牛智红;  任正伟;  贺振宏
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适用于光发射机设计的实用VCSEL小信号等效电路模型 期刊论文
兰州大学学报. 自然科学版, 2004, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 39-42
Authors:  崔增文;  韩建忠;  何山虎;  陈弘达;  孙增辉;  高鹏;  周毅
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标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望 期刊论文
半导体技术, 2003, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 30-32
Authors:  崔增文;  何山虎;  陈弘达;  毛陆虹;  高建玉
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InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
Inventors:  蒋洞微;  向伟;  王娟;  邢军亮;  王国伟;  徐应强;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
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