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Si基外延Ge薄膜中残余应变的检测与分析 期刊论文
光电子·激光, 2012, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 1749-1753
Authors:  周志文,李成,余金中
Adobe PDF(4644Kb)  |  Favorite  |  View/Download:442/76  |  Submit date:2013/05/29
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Authors:  周志文;  贺敬凯;  李成;  余金中
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Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文
OPTICS COMMUNICATIONS, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
Authors:  Zhou ZW (Zhou Zhiwen);  He JK (He Jingkai);  Wang RC (Wang Ruichun);  Li C (Li Cheng);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Zhou, ZW, Shenzhen Inst Informat & Technol, Dept Elect Commun Technol, Shenzhen 518029, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouzw@sziit.com.cn
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Germanium  Hererojunction  Photodiode  Tensile Strain  
SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1609-1613
Authors:  周志文;  贺敬凯;  王瑞春;  李成;  余金中
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Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
Authors:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
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UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
Authors:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
Adobe PDF(728Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1236/412  |  Submit date:2010/11/23