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Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
Authors:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  申占伟
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4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能 期刊论文
大学物理, 2008, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 26-30
Authors:  郑文礼;  李志文;  李树深;  王雪峰
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垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  高鹏;  崔增文
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与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展 期刊论文
光电子·激光, 2003, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 327-330
Authors:  陈弘达;  毛陆虹;  孙增辉;  崔增文;  高鹏;  陈永权;  申荣炫
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硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 12, 页码: 960
Authors:  庄婉如;  石志文;  杨培生;  梅野正羲;  神保孝志;  曾我哲夫
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  刘兴昉;  刘斌;  闫果果;  刘胜北;  田丽欣;  申占伟;  王雷;  赵万顺;  张峰;  孙国胜;  曾一平
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SiC基HEMT器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
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在SiC材料中获取二维电子气的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(522Kb)  |  Favorite  |  View/Download:344/1  |  Submit date:2016/09/22