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双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究 期刊论文
光学学报, 2012, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 0125001-1-0125001-6
Authors:  魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
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Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2012, 卷号: 32, 期号: 1
Authors:  Wei, Quanxiang;  Wu, Bingpeng;  Ren, Zhengwei;  He, Zhenhong;  Niu, Zhichuan
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2-5m InAs/GaSb superlattices infrared photodetector 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406
Authors:  Xu, Yingqiang;  Tang, Bao;  Wang, Guowei;  Ren, Zhengwei;  Niu, Zhichuan;  Xu, Y.(yingqxu@semi.ac.cn)
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Alignment  Atomic Force Microscopy  Atomic Spectroscopy  Detectors  Epitaxial Growth  Gallium Alloys  Gallium Arsenide  Indium Arsenide  Infrared Detectors  Molecular Beam Epitaxy  Molecular Beams  Optoelectronic Devices  Semiconducting Gallium  Superlattices  Transmission Electron Microscopy  x Ray Diffraction  
2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器 期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406
Authors:  徐应强;  汤宝;  王国伟;  任正伟;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
Inventors:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
Inventors:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究 期刊论文
半导体光电, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 52-55
Authors:  孙彦;  彭红玲;  任正伟;  贺振宏
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