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| Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
Authors: X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179
Authors: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; Y.X. Cui ; J.T. Li ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4
Authors: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang
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| Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
Authors: X.F. Liu ; G.G. Yan ; B. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| 4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究 期刊论文
半导体光电, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 359-362
Authors: 闫果果 ; 孙国胜; 吴海雷; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 曾一平
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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
Inventors: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
Inventors: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉
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| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
Inventors: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
Inventors: 王 亮; 宁 瑾; 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 赵永梅; 刘兴昉
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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