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The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133, 页码: 106177
Authors:  H.R. Qi ;   S. Zhang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   M. Zhou ;   Z.W. He ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
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Compensation of magnesium by residual carbon impurities in p-type GaN grown by MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 765, 页码: 245-248
Authors:  H.R. Qi ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   M. Zhou ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
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双色量子点及中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  黄建亮
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一种组合式聚光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  崔敏;  王彦硕;  白一鸣;  吴金良;  黄添懋
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聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试 期刊论文
光电子·激光, 2006, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 1413-1417
Authors:  雷晓荃;  毛陆虹;  陈弘达;  黄家乐
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MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1995-2000
Authors:  黄家乐;  毛陆虹;  陈弘达;  高鹏;  刘金彬;  雷晓荃
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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