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弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
Authors:  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  成步文;  余金中;  王启明
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy 三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862-866
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962
Authors:  Yu Z(于卓);  Li DZ(李代宗);  Cheng BW(成步文);  Li C(李成);  Lei ZL(雷震霖);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春辉);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明);  Liang JW(梁骏吾)
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 564
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313
Authors:  Cheng BW(成步文);  Li DZ(李代宗);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春晖);  Yu Z(于卓);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明)
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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
Authors:  成步文;  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  张春晖;  王玉田;  余金中;  王启明
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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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