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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962
Authors:  Yu Z(于卓);  Li DZ(李代宗);  Cheng BW(成步文);  Li C(李成);  Lei ZL(雷震霖);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春辉);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明);  Liang JW(梁骏吾)
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Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313
Authors:  Cheng BW(成步文);  Li DZ(李代宗);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春晖);  Yu Z(于卓);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明)
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
Authors:  成步文;  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  张春晖;  王玉田;  余金中;  王启明
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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6 期刊论文
Semiconductor Photonics and Technology, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 134
Authors:  Cheng Buwen;  Li Daizong;  Huang Changjun;  Zhang Chunhui;  Yu Zhuo;  Wang Yutian;  Yu Jinzhong;  Yang Qinqing;  Wang Qiming
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Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 791
Authors:  康学军;  林世鸣;  高俊华;  廖奇为;  朱家廉;  王红杰;  张春晖;  王启明
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GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关 期刊论文
高技术通讯, 1997, 卷号: 7, 期号: 7, 页码: 36
Authors:  康学军;  林世鸣;  廖奇为;  高俊华;  王红杰;  朱家廉;  张春晖;  王启明
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由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 873
Authors:  康学军;  林世鸣;  高俊华;  高洪海;  王启明;  王红杰;  王立轩;  张春晖
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室温连续工作的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵 期刊论文
高技术通讯, 1996, 卷号: 6, 期号: 5, 页码: 48
Authors:  林世鸣;  康学军;  高俊华;  高洪海;  王启明;  王红杰;  王立杆;  张春晖
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