SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学
于卓; 李代宗; 成步文; 黄昌俊; 雷震霖; 余金中; 王启明; 梁骏吾
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:6Pages:564
Abstract利用SiH_4和GeH_4作为源气体,对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532746
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18787
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于卓,李代宗,成步文,等. UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J]. 半导体学报,2000,21(6):564.
APA 于卓.,李代宗.,成步文.,黄昌俊.,雷震霖.,...&梁骏吾.(2000).UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学.半导体学报,21(6),564.
MLA 于卓,et al."UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学".半导体学报 21.6(2000):564.
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