SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
于卓; 李代宗; 成步文; 黄昌俊; 雷震霖; 余金中; 王启明; 梁骏吾
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:9Pages:862
Abstract分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区,在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532801
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18761
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于卓,李代宗,成步文,等. 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料[J]. 半导体学报,2000,21(9):862.
APA 于卓.,李代宗.,成步文.,黄昌俊.,雷震霖.,...&梁骏吾.(2000).用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料.半导体学报,21(9),862.
MLA 于卓,et al."用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料".半导体学报 21.9(2000):862.
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