SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料
成步文; 李代宗; 黄昌俊; 于卓; 张春晖; 王玉田; 余金中; 王启明
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:3Pages:250
Abstract以Si_2H_6和GeH_4作为源气体,用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑,平均粗糙度为1.2nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好,各处生长速率平均偏差3.31%,合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰,而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹,表明晶格质量和界面质量都很好;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532688
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18815
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
成步文,李代宗,黄昌俊,等. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]. 半导体学报,2000,21(3):250.
APA 成步文.,李代宗.,黄昌俊.,于卓.,张春晖.,...&王启明.(2000).UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料.半导体学报,21(3),250.
MLA 成步文,et al."UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料".半导体学报 21.3(2000):250.
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