SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
李代宗; 黄昌俊; 于卓; 成步文; 余金中; 王启明
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:7Pages:875
Abstract采用UHV/CVD系统,在Si衬底上生长了具有渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层结构的弛豫Si_(0.76)Ge_(0.24)虚衬底和5个周期的Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si多量子阱。在渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层生长过程中引入原位退火,消除了残余应力,抑制了后续生长的SiGe中的位错成核。透射电子显微照片显示,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内,而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的。在样品的PL谱中,观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰。由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重。NP峰随激发功率增加向高能方向移动,在一定激发条件下,电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光,所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533039
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18661
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李代宗,黄昌俊,于卓,等. 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱[J]. 半导体学报,2001,22(7):875.
APA 李代宗,黄昌俊,于卓,成步文,余金中,&王启明.(2001).弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱.半导体学报,22(7),875.
MLA 李代宗,et al."弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱".半导体学报 22.7(2001):875.
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