中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1837/292  |  提交时间：2010/08/12
大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  占荣
Adobe PDF(1311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：829/24  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
Adobe PDF(552Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1021/286  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1024/310  |  提交时间：2010/11/23
磁场下CZ法生长GaAs单晶过程中流场的数值模拟 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  兰爱东
Adobe PDF(1718Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：618/16  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周伯骏;  王占国
Adobe PDF(214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：610/186  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王玉田;  陈诺夫;  何宏家;  林兰英
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：790/252  |  提交时间：2010/11/23
半绝缘GaAs单晶化学配比与结构特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
作者:  陈诺夫
Adobe PDF(3460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：687/27  |  提交时间：2009/04/13
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究 成果
1996
主要完成人:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
收藏  |  浏览/下载：1048/0  |  提交时间：2010/04/13
Si-gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  何宏家;  王玉田;  林兰英
Adobe PDF(284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：614/158  |  提交时间：2010/11/23