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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Wang YL;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Huang XQ;  Zhao C;  Liu JQ;  Xu B;  Jin P;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Wu J;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Liu FQ;  Xu B;  Lin F;  Wu J;  Jiang WH;  Ding D;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Sun ZZ;  Liu FQ;  Wu J;  Ye XL;  Ding D;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Self-assembled Quantum Dots  Inp Substrate  High Index  Mbe  In(Ga  Molecular-beam-epitaxy  Al)as/inAlas/inp  Vapor-phase Epitaxy  Gaas  Islands  Photoluminescence  Inp(001)  Growth  Lasers