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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [18]
作者
叶小玲 [18]
徐波 [18]
金鹏 [2]
李成明 [1]
文献类型
期刊论文 [14]
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2002 [3]
2001 [1]
2000 [11]
1999 [1]
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英语 [18]
出处
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共18条,第1-10条
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作者:叶小玲
第一作者
作者:徐波
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
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清除
条数/页:
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10
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20
25
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55
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80
85
90
95
100
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun J
;
Jin P
;
Zhao C
;
Yu LK
;
Ye XL
;
Xu B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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浏览/下载:1274/444
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提交时间:2010/04/11
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1733/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1211/220
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提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZY
;
Xu B
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Li CM
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1085/286
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1020/300
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YC
;
Huang CJ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Ding D
;
Wang JZ
;
Li YF
;
Liu F
;
Wang ZG
;
Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1016/292
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang WH
;
Ye XL
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:964/327
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YC
;
Huang CJ
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Ding D
;
Jiang WH
;
Li YF
;
Ye XL
;
Wu J
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1252/424
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提交时间:2010/08/12
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1551/262
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1492/285
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks