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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  蒋渭生
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磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨霏;  尹志岗;  柴春林;  吴金良
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  尹志岗;  杨霏;  陈诺夫;  吴金良;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, K;  Ma, XY;  Lin, T;  Wang, J;  Liu, SP;  Zhang, GZ;  Zheng, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhengkai@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, XM;  Wang, YG;  Liu, YY;  Lan, YS;  Lin, T;  Wang, J;  Wang, XW;  Fang, GZ;  Ma, XY;  Zhang, ZG;  Feng, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Wang J;  Wang JH;  Liu ZL;  Lin LY;  Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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