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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光 期刊论文
发光学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 507-512
Authors:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
Authors:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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(GaAsSb-InGaAs)/GaAs 双层复合量子阱的分子束外延生长与器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  徐晓华
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N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1474-1482
Authors:  倪海桥;  徐晓华;  张纬;  徐应强;  牛智川;  吴荣汉
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