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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究 期刊论文
中国稀土学报, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 576-581
Authors:  杨少延;  柴春林;  周剑平;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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磁性半导体GdxSi1-x和高k材料Gd2O3的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  周剑平
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磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
Authors:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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