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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
Authors:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
Inventors:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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制备微透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
Inventors:  査国伟;  喻颖;  李密峰;  王莉娟;  倪海桥;  贺正宏;  牛智川
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